研究生任层层对二维锡烯薄膜的电子特性调控取得新进展，相关成果发布在Materials Research Express上。

近期，课题组对新型锡烯纳米材料的设计和调控取得了新进展。我们采用第一性原理计算研究了不同应力或电场作用对锡烯结构及其电子特性的影响。研究发现，应力可以有效地调节Γ点处的带隙，同时会使K点处狄拉克锥发生明显的改变，而且施加电场可以诱导其在K点处打开一个带隙。值得注意的是，同时考虑电场和应力可以有效地调节K点处的带隙，这些结果为我们在调节锡烯及电子特性方面提供了一个非常便利灵活的方法，同时也为其在实验操作上提供了有价值的参考。

  上述研究结果已被Materials Research Express接收。本项工作是在王培吉教授和张昌文教授的指导下，由任层层同学完成。本工作获得国家自然科学基金(61571210, 61172028, 11274143, and 11304121 )项目的赞助。