纳米自旋电子材料与器件团队
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研究生张守娟在二维IV族单层膜量子调控研究取得新进展,结果发表在RSC Advances上。

二维拓扑绝缘体是最近发现的新颖材料,其独特的边缘导电特性而引起很多研究人员的关注和研究。基于第一性原理计算,我们研究了H修饰IV主族二维单层膜的量子拓扑性质,PbSnH2PbGeH2PbSiH2结构进行双轴应力调控(88%)。当考虑到自旋轨道耦合后,发现了拓扑保护的边缘态,拓扑不变量Z2 = 1证实了这几种结构量子自旋霍尔相的存在。我们还提出其在衬底 BaTe 的生长模型,并证明了其拓扑性质并没有因此发生改变。这些结果为量子自旋霍尔效应器件的设计和室温下的实验操作提供了有价值的参考.上述研究结果发表在RSC Advances上:Hydrogenated Group-IV Binary Monolayers: A New FamilyInversion-Asymmetric Topological Insulators [RSC Adv., 2016,6,79452]


    本工作的第一完成作者为我院硕士研究生张守娟同学,其指导教师是张昌文教授。本课题还获得国家自然科学基金11274143, 11274143, 11274143,11304121)的资助