纳米自旋电子材料与器件团队
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研究生张闰午在拓扑绝缘体研究上取得重要进展,相关成果发表在 J. Mater. Chem. C期刊上。

近日,济南大学物理学院纳米自旋电子材料与器件团队设计出新型拓扑绝缘体材料,相关成果发表在J. Mater. Chem. C期刊上。

  近年来,扑绝缘体因为存在奇异的导电表面态,在科学界引起了极大的关注。二维量子自旋霍尔绝缘体在边缘可以表现出自旋量子霍尔效应,有望作为新型自旋电子器件材料。其中找寻宽的体能隙是实现拓扑绝缘体推广应用的最重要指标之一。课题组研究人员通过第一性原理计算,预测六角蜂巢状的有机官能团功能化的Ge单层(GeC2X,X = H, F, Cl, Br, I)是稳定的拓扑绝缘体,其体能隙可控制在0.5eV左右,这些成果为实现有机官能团修饰锗烯拓扑材料的研究提供一种崭新思路。

本研究工作获得了国家自然科学基金(Grant No. 11274143, 11434006,61172028, and 11304121),山东省自然科学基金(ZR2013AL002),济南大学博士研究基金(Grant No.XBS1433)项目的资助。

Run-wuZhang, Chang-wen Zhang, et al. New Family of Room Temperature Quantum Spin HallInsulators in Two-Dimensional Germanene films. J. Mater. Chem. C, 2016, 4,2088.