研究生张闰午在双极化磁性半导体研究方面取得最新进展，文章在Applied Physics Express上发表

近期，课题组在调控双极化磁性半导体（Bipolar Magnetic Semiconductor）机理方面研究取得重要进展。相关成果发表IOP出版社下的Applied Physics Express杂志上【Hydrogenated boron arsenide nanosheet: Apromising candidatefor bipolar magnetic semiconductor. Applied Physics Express,8, 113001, 2015. (JCR二区顶级期刊)】，该理论成果为实现自旋电子半导体器件在工业上的应用提供了前瞻性的思路。

在微电子半导体行业迅猛发展过程中，有效地调控电子自旋自由度的半导体器件是其发展的关键所在。本团队近期致力于二维材料砷化硼的自旋电子特性研究，通过半氢化修饰砷原子或硼原子，在外加电场和双轴应力作用下，实现了铁磁性半导体向半金属的完美转变，同时利用蒙特卡罗近似理论模拟出能够在室温下调控双极化磁性半导体。

本工作的第一完成作者为我院硕士研究生张闰午同学，其指导教师是张昌文教授，纪维霄博士在本工作中做出重要贡献。本工作获得了国家自然科学基金（11274143, 11434006, 61172028, 11304121），济南大学校博士基金（XBS1433）项目的资助。